Samsung postigao ogroman napredak

U naučnom radu pod nazivom "Ferroelectric transistors for low-power NAND flash" tim istraživača opisuje kako je kombinacijom ferolelektričnih materijala i oksidnih poluprovodnika prvi put jasno definisan mehanizam koji omogućava rekordno nisku potrošnju energije tokom čitanja i upisa.

Revolucija u NAND memoriji otvara put efikasnijim AI centrima i mobilnim uređajima

NAND memorija je osnovni tip trajnog prostora za čuvanje podataka koji zadržava informacije čak i kada nema napajanja. 

Današnji razvoj NAND čipova zasniva se na gradnji sve viših 3D struktura sa stotinama ili hiljadama slojeva, čime se povećava gustina skladištenja. 

Međutim, ova metoda nosi cijenu: potrošnja energije drastično raste, posebno pri masovnim opterećenjima kakva se viđaju u AI i cloud data centrima, prenosi "BenchMark".